Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19536KTTT, 100 В, 200 А, D2PAK (3 шт.)
1 910 ₴
- В наличии
- Код: TM152337
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19536KTTT, 100 В, 200 А, D2PAK (3 шт.)В наличии
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19536KTTT — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Постоянный ток стока: 200 А, импульсный: 400 А
- Рассеиваемая мощность: 375 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 2,8 мОм
- Корпус D2PAK, монтаж SMD, технология NexFET™
- В комплекте 3 шт.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 200 А. Импульсный ток стока может достигать 400 А, а рассеиваемая мощность составляет 375 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а заряд затвора равен 118 нКл.
Комплектация
В комплект входят 3 транзистора CSD19536KTTT.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 200 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.8 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | NexFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 910 ₴