Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19505KCS, 80 В, 150 А, TO220-3 (набор 10 шт.)
3 650 ₴
- В наличии
- Код: TM152335
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19505KCS, 80 В, 150 А, TO220-3 (набор 10 шт.)В наличии
3 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19505KCS — это униполярный компонент с каналом обогащения, максимально допустимое напряжение 80 В и ток 150 А. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220-3.
- Напряжение сток-исток: 80 В
- Ток стока: 150 А
- Рассеиваемая мощность: 300 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 2.6 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплектация: набор из 10 штук
Высокая рассеиваемая мощность
Компонент способен рассеивать мощность до 300 Вт. Толщина радиатора составляет 1.14–1.4 мм.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в состоянии проводимости составляет 2.6 мОм.
Монтаж и технология NexFET™
Транзистор изготовлен по технологии NexFET™. Монтаж выполняется методом THT (выводной).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 150 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.6 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | NexFET™ |
| Толщина радиатора | 1.14–1.4 |
Информация для заказа
- Цена: 3 650 ₴