Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19503KCS, 80 В, 100 А, TO220-3 (набор 10 шт.)
2 010 ₴
- В наличии
- Код: TM152334
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19503KCS, 80 В, 100 А, TO220-3 (набор 10 шт.)В наличии
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19503KCS — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, с максимальным током стока 100 А и напряжением сток-исток 80 В. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).
- Ток стока: 100 А
- Напряжение сток-исток: 80 В
- Рассеиваемая мощность: 188 Вт
- Сопротивление в состоянии проводности: 7,6 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Набор: 10 шт.
Мощность и ток
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 100 А и напряжение сток-исток 80 В. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 188 Вт.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в состоянии проводности равно 7,6 мОм.
Технология NexFET™
Компонент изготовлен по технологии NexFET™ от Texas Instruments.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе TO220-3 с выводами для монтажа в отверстия (THT). Толщина радиатора (площадки крепления) составляет 1,14–1,4 мм.
Комплектация
В комплекте поставляется 10 транзисторов Texas Instruments CSD19503KCS.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 188 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7.6 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | NexFET™ |
| Толщина радиатора | 1.14–1.4 |
Информация для заказа
- Цена: 2 010 ₴