
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18504KCS, 40 В, 100 А, TO220-3 (30 шт.)
2 320 ₴
- В наличии
- Код: TM152330
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 30 транзисторов N-MOSFET от Texas Instruments, модель CSD18504KCS. Предназначены для монтажа на плату (THT) в корпусе TO220-3. Ключевые параметры: напряжение 40 В, ток 100 А, рассеиваемая мощность 115 Вт.
- Ток стока 100 А
- Напряжение сток-исток 40 В
- Рассеиваемая мощность 115 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 5,5 мОм
- Корпус TO220-3, монтаж THT
- Комплект 30 шт.
Электрические характеристики
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 40 В, а допустимый ток стока — 100 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 5,5 мОм.
Тепловые параметры
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 115 Вт. Толщина монтажного фланца корпуса составляет 1,14–1,4 мм.
Монтаж и корпус
Монтаж осуществляется выводами сквозь плату (THT) в корпусе TO220-3. Изделие изготовлено по технологии NexFET™.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 115 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5.5 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | NexFET™ |
| Толщина радиатора | 1.14–1.4 |
Информация для заказа
- Цена: 2 320 ₴
