Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17577Q3AT, 30В, 35А, VSONP8 (набор 20 шт.)
2 700 ₴
- В наличии
- Код: TM152327
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17577Q3AT, 30В, 35А, VSONP8 (набор 20 шт.)В наличии
2 700 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17577Q3AT — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель выполнена в компактном корпусе VSONP8 и реализуется набором из 20 штук.
- Ток стока до 35 А
- Рассеиваемая мощность 53 Вт
- Низкое сопротивление в открытом состоянии 5,3 мОм
- Компактный корпус VSONP8 (3,3 × 3,3 мм) для SMD монтажа
- Набор из 20 транзисторов
- Технология NexFET™
Высокая токовая нагрузка
Транзистор выдерживает ток стока до 35 А,
Эффективное рассеивание тепла
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 53 Вт. Благодаря технологии NexFET™ и низкому сопротивлению в открытом состоянии (5,3 мОм).
Компактный корпус для SMD монтажа
Компонент имеет размеры 3,3 × 3,3 мм и выполнен в корпусе VSONP8 для поверхностного монтажа (SMD).
Надежная изоляция и управление
Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Заряд затвора составляет 12 нК.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 53 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 35 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5.3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | VSONP8 |
| Размеры | 3.3 × 3.3 |
| Технология | NexFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 700 ₴