
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17576Q5BT, 30 В, 100 А, VSON-CLIP8 (30 шт.)
2 230 ₴
- В наличии
- Код: TM152326
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD17576Q5BT — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 100 А при напряжении 30 В. Компонент выполнен в корпусе VSON-CLIP8 с технологией NexFET™ и поставляется комплектом из 30 штук.
- Ток стока: 100 А
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 2,4 мОм
- Корпус: VSON-CLIP8 (5 × 6 мм)
- Монтаж: SMD
- Комплектация: 30 шт.
Высокая коммутационная мощность
Компонент рассчитан на напряжение сток-исток 30 В и ток стока до 100 А. Низкое сопротивление в открытом состоянии 2,4 мОм снижает нагрев при больших токах. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 125 Вт,
Технология NexFET™ и заряд затвора
Компонент изготовлен по технологии NexFET™. Общий заряд затвора составляет 25 нКл. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.4 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | VSON-CLIP8 |
| Размеры | 5 × 6 |
| Технология | NexFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 230 ₴
