Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ018NE2LSATMA1, 25В, 40А, 69Вт, PG-TSDSON-8 (20 шт.)
2 810 ₴
- В наличии
- Код: TM151474
Транзистор N-MOSFET Infineon BSZ018NE2LSATMA1, 25В, 40А, 69Вт, PG-TSDSON-8 (20 шт.)В наличии
2 810 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSZ018NE2LSATMA1. Это полевой транзистор N-MOSFET в корпусе PG-TSDSON-8, предназначенный для поверхностного монтажа. В комплекте поставляется 20 единиц.
- Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 В
- Максимально допустимый ток стока: 40 А
- Максимальная мощность рассеивания: 69 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 1.8 mOm
- Корпус: PG-TSDSON-8
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение сток-исток составляет 25 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимально допустимый ток стока равен 40 А.
Мощность и сопротивление
Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 69 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 1.8 mOm.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™. Корпус PG-TSDSON-8, тип монтажа — поверхностный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 69 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 25 В |
| Максимально допустимый ток стока | 40 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.8 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TSDSON-8 |
| Технология | OptiMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 810 ₴