Транзистор P-MOSFET Infineon BSS84PH6327XTSA2, SOT23, набор 80 шт.
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM151472
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS84PH6327XTSA2, SOT23, набор 80 шт.В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS84PH6327XTSA2 — это полевой транзистор в корпусе PG-SOT23. Тип монтажа: поверхностный. В комплекте 80 единиц.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Корпус: PG-SOT23
- Максимальная мощность рассеивания: 0,36 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 8000 мОм
- Технология: SIPMOS™
- Количество в комплекте: 80 шт.
Технические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 0,36 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 8000 мОм. Транзистор изготовлен по технологии SIPMOS™.
Комплектация
В наборе 80 транзисторов. Корпус: PG-SOT23. Заряд затвора составляет 0,37 нКл. Символ TME: BSS84PH6327XTSA2.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.36 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 80 шт. |
| Корпус | PG-SOT23 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴