Транзистор ONSEMI BSS84LT1G — это полевой MOSFET в корпусе SOT23. В комплекте поставляется 80 штук.
- Тип транзистора: полевой (MOSFET)
- Корпус: SOT23, поверхностный монтаж
- Максимальная мощность рассеивания: 0,225 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 10 000 мОм
- Количество в комплекте: 80 шт.
Технические параметры
Устройство имеет максимальную мощность рассеивания 0,225 Вт и максимально допустимое напряжение затвор-исток 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 10 000 мОм. Это поверхностный компонент типа «полевой».
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в стандартном корпусе SOT23. Тип монтажа — поверхностный (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 80 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 060 ₴

