Транзистор P-MOSFET Infineon BSS308PEH6327XTSA1, SOT23, 50 шт.
1 900 ₴
- В наличии
- Код: TM151468
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS308PEH6327XTSA1, SOT23, 50 шт.В наличии
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS308PEH6327XTSA1 — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе PG-SOT23. Комплект состоит из 50 штук, предназначенных для поверхностного монтажа.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Максимальная мощность рассеивания: 0,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 80 мОм
- Корпус: PG-SOT23
- Количество в комплекте: 50 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Максимальная мощность рассеивания ограничена 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 80 мОм.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ P3. Корпус PG-SOT23, тип монтажа — поверхностный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 80 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | PG-SOT23 |
| Технология | OptiMOS™ P3 |
Информация для заказа
- Цена: 1 900 ₴