Транзистор P-MOSFET Infineon BSP613PH6327XTSA1, 1,8 Вт, PG-SOT223 (набор 20 шт.)
3 250 ₴
- В наличии
- Код: TM151463
Транзистор P-MOSFET Infineon BSP613PH6327XTSA1, 1,8 Вт, PG-SOT223 (набор 20 шт.)В наличии
3 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-канальный MOSFET-транзистор Infineon Technologies в корпусе PG-SOT223. Тип монтажа — поверхностный, работает с напряжением затвор-исток до 20 В. В комплекте поставляется 20 штук.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Максимальная мощность рассеивания: 1,8 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 130 мОм
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Корпус: PG-SOT223, монтаж поверхностный
- Технология изготовления: SIPMOS™
- Количество в комплекте: 20 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 1,8 Вт и сопротивление в открытом состоянии (Rds) 130 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Эти характеристики определяют рабочие режимы компонента в электрических схемах.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии SIPMOS™ и размещен в корпусе PG-SOT223. Тип монтажа — поверхностный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 130 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 3 250 ₴