Транзистор N-MOSFET Infineon BSP373NH6327XTSA1, 100 В, 1,8 А, SOT223 (30 шт.)
2 710 ₴
- В наличии
- Код: TM151462
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP373NH6327XTSA1, 100 В, 1,8 А, SOT223 (30 шт.)В наличии
2 710 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSP373NH6327XTSA1. Это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT223, предназначенный для поверхностного монтажа. В комплекте поставляется 30 единиц.
- Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
- Максимально допустимый ток стока: 1,8 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 240 мОм
- Корпус: SOT223, монтаж поверхностный
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и ток стока 1,8 А. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 240 мОм.
Тепловые характеристики и корпус
Максимальная мощность рассеивания составляет 1,8 Вт. Компонент выполнен в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа. Используется технология OptiMOS™.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 240 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | OptiMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 710 ₴