Транзистор P-MOSFET Infineon BSP316PH6327XTSA1, SOT223, набор 30 шт.
2 600 ₴
- В наличии
- Код: TM151461
Транзистор P-MOSFET Infineon BSP316PH6327XTSA1, SOT223, набор 30 шт.В наличии
2 600 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор с каналом p-типа Infineon BSP316PH6327XTSA1 в корпусе PG-SOT223. Предназначен для поверхностного монтажа на печатные платы. В комплекте 30 штук.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Корпус: PG-SOT223
- Мощность рассеивания: 1,8 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 1800 мОм
- Напряжение затвор-исток: 20 В
- Количество в комплекте: 30 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 1,8 Вт и сопротивление в открытом состоянии (Rds) 1800 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Эти характеристики определяют рабочие режимы компонента в электрических схемах.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии SIPMOS™ и размещен в корпусе PG-SOT223.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1800 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технология | SIPMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 600 ₴