Транзистор P-MOSFET Infineon BSL308PEH6327XTSA1, 30 шт., PG-TSOP-6

Транзистор P-MOSFET от Infineon Technologies в комплекте из 30 штук. Модель BSL308PEH6327XTSA1 выполнена в корпусе PG-TSOP-6 для поверхностного монтажа.

• Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
• Корпус: PG-TSOP-6, монтаж поверхностный
• Максимальная мощность рассеивания: 0,5 Вт
• Напряжение затвор-исток: 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 80 мОм
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические характеристики

Устройство является полевым транзистором с каналом типа P (P-MOSFET). Максимальная мощность рассеивания составляет 0,5 Вт, а максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 80 мОм.

Корпус и монтаж

Транзистор изготовлен по технологии OptiMOS™ P3 и имеет версию ESD. Корпус PG-TSOP-6. В комплекте поставляется 30 единиц.