Транзистор P-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSL307SPH6327XTSA1. Это полевой транзистор в корпусе PG-TSOP-6, с типом монтажа: поверхностный. В комплекте поставляется 20 единиц.
- Тип транзистора: Полевой
- Тип монтажа: Поверхностный
- Максимальная мощность рассеивания: 2 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 43 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Технические характеристики
Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 2 Вт и максимально допустимое напряжение затвор-исток 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 43 мОм. Используется технология OptiMOS™ P.
Комплектация
В наборе содержится 20 транзисторов. Корпус компонента — PG-TSOP-6.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 43 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TSOP-6 |
| Технология | OptiMOS™ P |
Информация для заказа
- Цена: 1 890 ₴

