Транзистор P-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель BSL207SPH6327XTSA1. Это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, с типом монтажа: поверхностный в корпусе PG-TSOP-6.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Максимальная мощность рассеивания: 2 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 41 мОм
- Тип монтажа: поверхностный
- Количество в комплекте: 20 шт.
Технические характеристики
Устройство имеет максимальную мощность рассеивания 2 Вт и максимально допустимое напряжение затвор-исток 12 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 41 мОм. Транзистор изготовлен по технологии OptiMOS™ P.
Комплектация
В наборе поставляется 20 шт. транзисторов. Корпус: PG-TSOP-6.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 41 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TSOP-6 |
| Технология | OptiMOS™ P |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴

