Транзистор N-MOSFET Infineon BSC190N15NS3GATMA1, 150В, 50А, 125Вт (20 шт.)
2 770 ₴
- В наличии
- Код: TM151456
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC190N15NS3GATMA1, 150В, 50А, 125Вт (20 шт.)В наличии
2 770 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
- Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 В
- Максимально допустимый ток стока: 50 А
- Максимальная мощность рассеивания: 125 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 19 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 150 В и ток стока 50 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 125 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 19 мОм.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3. Корпус: PG-TSDSON-8. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 50 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 19 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TSDSON-8 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 770 ₴