Транзистор N-MOSFET Infineon BSC123N08NS3GATMA1, 80В, 55А, 66Вт, TDSON-8 (20 шт.)
2 910 ₴
- В наличии
- Код: TM151455
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC123N08NS3GATMA1, 80В, 55А, 66Вт, TDSON-8 (20 шт.)В наличии
2 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC123N08NS3GATMA1 — это полевой транзистор в корпусе PG-TDSON-8. Комплект состоит из 20 единиц, предназначенных для поверхностного монтажа.
- Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 В
- Максимально допустимый ток стока: 55 А
- Максимальная мощность рассеивания: 66 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 12.3 мОм
- Корпус: PG-TDSON-8 (поверхностный монтаж)
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 80 В, а ток стока — 55 А. Максимальная мощность рассеивания равна 66 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 12.3 мОм.
Корпус и технология
Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3. Корпус PG-TDSON-8 предназначен для поверхностного монтажа. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено 20 В.
Комплектация
В набор поставляется 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 66 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 55 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 12.3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 910 ₴