Транзистор N-MOSFET Infineon BSC080N03MSGATMA1, 30В, 53А, 35Вт (комплект 40 шт.)
2 090 ₴
- В наличии
- Код: TM151454
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC080N03MSGATMA1, 30В, 53А, 35Вт (комплект 40 шт.)В наличии
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
N-MOSFET транзистор Infineon Technologies модели BSC080N03MSGATMA1 в корпусе PG-TDSON-8. Это полевой транзистор с каналом обогащения. В комплекте поставляется 40 единиц.
- Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 53 А
- Максимальная мощность рассеивания: 35 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 8 мОм
- Корпус: PG-TDSON-8, монтаж поверхностный
- Количество в комплекте: 40 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В, а максимально допустимый ток стока — 53 А. Мощность рассеивания ограничена значением 35 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 8 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PG-TDSON-8 с поверхностным типом монтажа (SMD). Технология: OptiMOS™ 3.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 35 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 53 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 090 ₴