Транзистор N-MOSFET ONSEMI BS170, 60В, 0.5А, TO92 (BS170-D75Z) — набор 90 шт.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI BS170 — это полевой транзистор с каналом типа «обогащение» в корпусе TO92. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 0.5 А.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 0.5 А
• Максимальная мощность рассеивания: 0.83 Вт
• Корпус: TO92, штыревой монтаж
• Количество в комплекте: 90 шт.

Электрические параметры и канал

Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток ограничено 20 В. Максимально допустимый ток стока равен 0.5 А, при этом импульсный ток может достигать 1.2 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) зафиксировано на уровне 5000 мОм. Канал транзистора — обогащенный (enhancement mode).

Мощность и технология

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 0.83 Вт. Компонент изготовлен по технологии DMOS.

Комплектация и монтаж

В наборе поставляется 90 шт. транзисторов. Компонент имеет штыревой тип монтажа.