Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1, 650 В, 200 А, TO247-4 (3 шт.)
2 510 ₴
- В наличии
- Код: TM151368
Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1, 650 В, 200 А, TO247-4 (3 шт.)В наличии
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1 в корпусе TO247-4 со встроенным диодом SiC SBD. Комплект состоит из 3 единиц с выводным типом монтажа.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 200 А
- Мощность рассеивания: 357 Вт
- Корпус: TO247-4, выводной монтаж
- Комплект: 3 шт.
- Интегрированный диод SiC SBD
Технические характеристики
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В, а максимально допустимый ток коллектора — 200 А. Максимальная мощность рассеивания равна 357 Вт. Транзистор изготовлен по технологии Field Stop, Trench и имеет интегрированный антипараллельный диод SiC SBD.
Особенности конструкции
Корпус TO247-4, тип монтажа — выводной. Заряд затвора составляет 308 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Комплектация
В комплекте поставляется 3 транзистора.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 357 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 200 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR |
Информация для заказа
- Цена: 2 510 ₴