Транзистор N-MOSFET BASiC SEMICONDUCTOR SiC 1,2kV 45A (B3M040120H), 10 шт.

Транзистор N-MOSFET от бренда BASiC SEMICONDUCTOR, модель B3M040120H. Это полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC) с максимальным током стока 45 А и мощностью рассеивания 312 Вт. Комплект состоит из 10 штук в корпусе TO247-3.

• Максимально допустимый ток стока: 45 А
• Максимальная мощность рассеивания: 312 Вт
• Технология: SiC (карбид кремния)
• Корпус: TO247-3
• Тип монтажа: THT
• Количество в комплекте: 10 шт.

Мощность и ток

Прибор имеет максимально допустимый ток стока 45 А и максимальную мощность рассеивания 312 Вт. Эти параметры определяют рабочие режимы компонента.

Технология SiC и напряжение

Использование технологии SiC (карбид кремния) отличает этот компонент от стандартных кремниевых аналогов. Указанное напряжение в спецификации: 1,2kV.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO247-3. Монтаж выполняется по технологии THT (выводной монтаж), что предполагает установку в отверстия печатной платы.