Транзистор N-MOSFET BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120R, SiC, 1,2 кВ, 24 А (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120R — это полевой транзистор на технологии SiC с максимальным током стока 24 А и напряжением 1,2 кВ. Комплект состоит из 2 единиц в корпусе TO263-7 для поверхностного монтажа.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой
• Технология: SiC (карбид кремния)
• Максимальное напряжение: 1,2 кВ
• Максимальный ток стока: 24 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 65 мОм
• Мощность рассеивания: 150 Вт
• Корпус: TO263-7, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 2 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением затвор-исток 18 В и исток-сток 1,2 кВ. Максимально допустимый ток стока составляет 24 А, а импульсный ток может достигать 85 А.

Технология SiC и низкое сопротивление

Технология изготовления: SiC (карбид кремния). Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 65 мОм. Максимальная мощность рассеивания составляет 150 Вт.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе TO263-7. В комплекте поставляется 2 транзистора. Наличие вывода Кельвина и заряда затвора 60 нКл.