Транзистор N-MOSFET BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120H SiC 1200 В 33 А (набор 2 шт.)

Набор из двух силовых транзисторов BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120H на основе карбида кремния (SiC). Это N-канальные полевые транзисторы с максимальным током стока 33 А и напряжением 1,2 кВ.

• Технология SiC (карбид кремния)
• Максимальное напряжение 1200 В
• Ток стока 33 А (импульсный 85 А)
• Мощность рассеивания 250 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 65 мОм
• Корпус TO247-3, штырьковой монтаж

Карбид кремния для высоких нагрузок

Транзисторы изготовлены по технологии SiC. Максимальная мощность рассеивания составляет 250 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 65 мОм.

Высокое напряжение и ток

Прибор рассчитан на напряжение 1,2 кВ и постоянный ток стока 33 А. Импульсный ток составляет 85 А. Заряд затвора составляет 60 нКл.

Комплектация

В комплекте поставляются 2 транзистора в корпусе TO247-3. Монтаж выполняется штырьковым способом. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 18 В.