Транзистор N-MOSFET BASiC SEMICONDUCTOR B2M032120Y, SiC, 1200 В, 60 А, TO247PLUS-4 (2 шт.)

Транзистор BASiC SEMICONDUCTOR B2M032120Y — это силовой N-MOSFET на основе карбида кремния (SiC), предназначенный для высоковольтных применений. Комплект состоит из 2 штук в корпусе TO247PLUS-4 с выводом Кельвина.

• Технология SiC для высокой эффективности
• Напряжение сток-исток 1,2 кВ
• Ток стока 60 А (импульсный 190 А)
• Сопротивление в состоянии проводимости 50 мОм
• Корпус TO247PLUS-4 с выводом Кельвина
• Комплект: 2 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1,2 кВ и постоянный ток стока 60 А. Эти характеристики делают компонент пригодным для мощных электронных схем. Импульсный ток стока может достигать 190 А, что позволяет выдерживать кратковременные пиковые токи.

Эффективность технологии SiC

Использование технологии SiC (карбид кремния) обеспечивает низкое сопротивление в состоянии проводимости — всего 50 мОм. Это снижает тепловые потери на проводимость. Мощность рассеивания составляет 375 Вт, что требует эффективного охлаждения.

Удобство монтажа и управления

Компонент имеет монтаж THT (через отверстия), что позволяет осуществлять монтаж через отверстия. Напряжение управления затвором находится в диапазоне от -4 до 18 В, что соответствует стандартным уровням управления затвором. Наличие вывода Кельвина позволяет разделить силовые и сигнальные цепи.