Транзистор N-MOSFET BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK SiC 1200В 27А

Транзистор BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK — это полевой транзистор типа N-MOSFET, изготовленный по технологии SiC (карбид кремния). Устройство рассчитано на напряжение сток-исток 1,2 кВ и ток стока 27 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой
• Технология изготовления: SiC (карбид кремния)
• Максимальное напряжение сток-исток: 1200 В
• Максимальный ток стока: 27 А (импульсный 80 А)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 80 мОм
• Мощность рассеивания: 241 Вт
• Корпус: TO247-4, монтаж выводной

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1,2 кВ и постоянный ток стока 27 А. Импульсный ток составляет 80 А. Заряд затвора равен 149 нКл.

Мощность и сопротивление

Максимальная мощность рассеивания составляет 241 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 80 мОм.

Корпус и конструкция

Компонент выполнен в корпусе TO247-4 с выводом Кельвина. Тип монтажа — выводной. Поляризация транзистора — униполярная.