Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF10B60D2, 600 В, 10 А, TO220F (набор 20 шт.)

Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF10B60D2 — полупроводниковый прибор в корпусе TO220F. В комплекте 20 единиц.

• Тип транзистора: IGBT (полевой)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
• Максимальный ток коллектора: 10 А
• Корпус: TO220F, выводной монтаж
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,55 В
• В комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В и ток коллектора 10 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 12 Вт. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер равно 1,55 В.

Энергетические характеристики

Энергия выключения — 0,04 мДж, энергия включения — 0,14 мДж. Заряд затвора — 9,4 нКл.

Корпус и монтаж

Прибор выполнен в корпусе TO220F с выводным типом монтажа. Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.