Транзистор N-MOSFET Infineon 2N7002H6327XTSA2, 60 В, 0,3 А, SOT23, 150 шт.
2 340 ₴
- В наличии
- Код: TM150317
Транзистор N-MOSFET Infineon 2N7002H6327XTSA2, 60 В, 0,3 А, SOT23, 150 шт.В наличии
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon 2N7002H6327XTSA2 — это униполярный полевой транзистор с типом монтажа: поверхностный (SMD). Комплект состоит из 150 штук в корпусе PG-SOT23.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 0,3 А
- Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
- Корпус: PG-SOT23 (SMD монтаж)
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 60 В и током стока 0,3 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 4000 мОм (4 Ом). Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
Технология и корпус
Изделие изготовлено по технологии OptiMOS™. Корпус PG-SOT23, тип монтажа: поверхностный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | PG-SOT23 |
| Технология | OptiMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 340 ₴