Транзистор WAYON WMS11P04T1 P-MOSFET, -40 В, -10,5 А, 3,1 Вт, SOP8 (50 шт.)

Транзистор WAYON WMS11P04T1 — полевой транзистор типа P-MOSFET в корпусе SOP8 с поверхностным типом монтажа. В названии товара TME для него указаны -40 В, -10,5 А и 3,1 Вт. В комплекте 50 шт.

• P-MOSFET: -40 В, -10,5 А
• Импульсный ток стока: -42 А
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 19 мОм
• Максимальная мощность рассеивания: 3,1 Вт
• Корпус SOP8, в комплекте 50 шт.

Тип транзистора

MOSFET — полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник, а буква P в обозначении указывает на P-канал. По данным TME транзистор униполярный. Тип канала — обогащенный.

Напряжение и ток

Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Импульсный ток стока составляет -42 А.

Сопротивление и заряд затвора

Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 19 мОм. Обозначение Rds означает сопротивление между стоком и истоком. Заряд затвора составляет 35 нКл.

Мощность и корпус

Максимальная мощность рассеивания составляет 3,1 Вт. Транзистор выполнен в корпусе SOP8, тип монтажа — поверхностный.

Комплектация

В комплекте 50 транзисторов WAYON WMS11P04T1. Код набора в каталоге TME — WMS11P04T1-CYG.