Транзистор N-MOSFET WAYON WMO11N65C4, 650V, 4.8A, TO252 (30 шт.)
2 340 ₴
- В наличии
- Код: TM114813
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO11N65C4, 650V, 4.8A, TO252 (30 шт.)В наличии
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMO11N65C4 — это N-канальный MOSFET, выполненный по технологии WMOS™ C4. Комплект состоит из 30 штук в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD).
- Напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 4,8 А (постоянный), 19 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 57 Вт
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Технология: WMOS™ C4
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 4,8 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 19 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 57 Вт.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии WMOS™ C4. Корпус TO252 и тип монтажа SMD. Полярность транзистора — униполярная, канал обогащенный. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,56 Ом. Заряд затвора — 2,1 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 57 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 560 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Производитель | WAYON |
| Технология | WMOS™ C4 |
Информация для заказа
- Цена: 2 340 ₴