Транзистор WAYON WMB26DN06TS, N-MOSFET x2, 60V, 26A, PDFN5060-8 (40 шт.)
2 120 ₴
- В наличии
- Код: TM114792
Транзистор WAYON WMB26DN06TS, N-MOSFET x2, 60V, 26A, PDFN5060-8 (40 шт.)В наличии
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 40 транзисторов WAYON WMB26DN06TS — это двойные N-MOSFET транзисторы с каналом обогащения, рассчитанные на напряжение 60 В и ток 26 А. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе PDFN5060-8.
- Двойной N-MOSFET транзистор (x2) в одном корпусе
- Напряжение сток-исток 60 В, ток стока 26 А
- Импульсный ток стока 104 А
- Рассеиваемая мощность 39 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 32 мОм
- Корпус PDFN5060-8 для SMD монтажа
- Комплект: 40 штук
Электрические параметры
Транзисторы имеют напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 26 А. Импульсный ток стока достигает 104 А, а рассеиваемая мощность составляет 39 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 32 мОм.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе PDFN5060-8 для технологии поверхностного монтажа (SMD). Полярность транзисторов — униполярная, тип канала — обогащенный. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 22 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 39 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 26 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 32 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 2 120 ₴