Транзистор N-MOSFET WAYON WMB108N03T1, 30В, 108А, PDFN5060-8 (40 шт.)
1 880 ₴
- В наличии
- Код: TM114791
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB108N03T1, 30В, 108А, PDFN5060-8 (40 шт.)В наличии
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор WAYON WMB108N03T1 — это N-MOSFET с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 108 А при напряжении 30 В. Компонент в корпусе PDFN5060-8 для поверхностного монтажа (SMD) поставляется набором из 40 штук.
- Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 108 А (импульсный до 432 А)
- Сопротивление в открытом состоянии: 3,7 мОм
- Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
- Набор: 40 штук
Электрические параметры и мощность
Транзистор работает с напряжением сток-исток 30 В и выдерживает постоянный ток стока 108 А. Импульсный ток может достигать 432 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 3,7 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность — 69 Вт.
Корпус и монтаж SMD
Компонент выполнен в корпусе PDFN5060-8. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Комплектация
В упаковке содержится 40 транзисторов WAYON WMB108N03T1.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 69 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 108 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3.7 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Производитель | WAYON |
Информация для заказа
- Цена: 1 880 ₴