
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18NM60N, 600 В, 8,19 А, TO247 (набор 10 шт.)
3 360 ₴
- В наличии
- Код: TM114388
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18NM60N — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом повышенного типа. Комплект состоит из 10 штук в корпусе TO247, что обеспечивает удобный монтаж на печатные платы.
- Набор из 10 транзисторов N-MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток 600 В
- Постоянный ток стока 8,19 А
- Импульсный ток до 52 А
- Рассеиваемая мощность 130 Вт
- Корпус TO247 для монтажа THT
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 8,19 А.
Импульсная мощность
Прибор выдерживает импульсный ток стока до 52 А и имеет рассеиваемую мощность 130 Вт. Такие характеристики важны для схем с резкими пиками нагрузки, обеспечивая надежность работы при кратковременных перегрузках.
Удобный монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе TO247 с технологией монтажа THT (сквозные отверстия). Это упрощает процесс установки на печатные платы.
Электрические параметры
Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,25 Ом, а заряд затвора — 34 нКл. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±25 В. Эти параметры определяют эффективность переключения и тепловые режимы работы транзистора в динамических режимах.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 130 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8.19 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 250 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO247 |
- Цена: 3 360 ₴
