Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU4N52K3, 525В, 2А, IPAK (набор 30 шт.)
1 920 ₴
- В наличии
- Код: TM114386
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU4N52K3, 525В, 2А, IPAK (набор 30 шт.)В наличии
1 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU4N52K3 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, выполненный в корпусе IPAK для монтажа в отверстия (THT). Комплект состоит из 30 единиц.
- Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
- Напряжение сток-исток: 525 В
- Ток стока: 2 А
- Рассеиваемая мощность: 45 Вт
- Корпус: IPAK, монтаж THT
- Технология: SuperMESH3™, версия ESD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Технические параметры
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 525 В и ток стока 2 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 45 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 2,6 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.
Технология SuperMESH3™
Прибор изготовлен по технологии SuperMESH3™. Версия: ESD.
Монтаж и корпус
Транзистор выполнен в корпусе IPAK для монтажа в отверстия (THT). В набор входит 30 транзисторов STU4N52K3.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 45 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 525 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2600 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | IPAK |
| Технология | SuperMESH3™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 920 ₴