Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK60Z, 600 В, 2,5 А, TO220-3 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK60Z — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 600 В. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220-3 для монтажа в отверстия (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 2,5 А, мощность рассеивания: 70 Вт
• Корпус TO220-3, монтаж в отверстия (THT)
• Технология SuperMesh™, версия ESD
• Набор из 10 транзисторов

Электрические параметры

Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 2,5 А. Мощность рассеивания составляет 70 Вт, а сопротивление в открытом состоянии равно 2 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В, что определяет допустимый диапазон управляющих сигналов.

Технология и конструкция

Транзистор изготовлен по технологии SuperMesh™, что влияет на его ключевые характеристики. Корпус TO220-3. Версия ESD указывает на наличие защиты от электростатического разряда.

Комплектация

В комплекте поставляется 10 транзисторов STP4NK60Z.