Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N60DM2, 600В, 15,5А, TO220-3 — набор 5 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N60DM2 — это полупроводниковый прибор с обогащенным каналом, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 15,5 А. Выполнен в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT) и реализует технологию MDmesh™ DM2.

• Тип: N-MOSFET с обогащенным каналом
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 15,5 А (импульсный до 96 А)
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Технология: MDmesh™ DM2
• Комплект: 5 шт.

Электрические параметры

Прибор работает с напряжением сток-исток до 600 В и постоянным током стока 15,5 А. В импульсном режиме ток может достигать 96 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,13 Ом.

Мощность и управление

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора — 190 Вт. Напряжение на затворе ограничено ±30 В, а заряд затвора равен 43 нКл.

Комплектация

Товар поставляется набором из 5 транзисторов.