Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60FD, 600В, 12,6А, TO220-3 (3 шт.)

1 890 ₴

  • В наличии
  • Код: TM114340
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60FD, 600В, 12,6А, TO220-3 (3 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60FD, 600В, 12,6А, TO220-3 (3 шт.)В наличии
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60FD — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 3 единиц.

  • Тип транзистора: N-MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
  • Ток стока: 12,6 А
  • Мощность рассеивания: 45 Вт
  • Корпус: TO220-3, монтаж THT
  • Количество в комплекте: 3 шт.

Электрические параметры

Прибор является униполярным N-MOSFET транзистором с каналом обогащения. Максимальное напряжение сток-исток составляет 600 В, а постоянный ток стока — 12,6 А. Мощность рассеивания равна 45 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.

Технология и сопротивление

Транзистор изготовлен по технологии FDmesh™, что влияет на его электрические параметры. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 0,29 Ом. Допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением ±30 В.

Монтаж и комплектация

Транзисторы имеют корпус TO220-3 и предназначены для монтажа на плату (THT). В комплекте поставки находится 3 транзистора STP20NM60FD.

Характеристики
Основные
ПроизводительSTMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания45 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток30 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток600 В
Максимально допустимый ток стока12.6 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)290 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте3 шт.
КорпусTO220-3
ТехнологияFDmesh™
Информация для заказа
  • Цена: 1 890 ₴