Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20N65M5, 650 В, 11,3 А, TO220-3 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20N65M5 — это полупроводниковый прибор с технологией MDmesh™ V. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе TO220-3, что обеспечивает удобство для серийного монтажа и ремонта электронных устройств.

• Напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 11,3 А
• Мощность рассеивания: 130 Вт
• Сопротивление в состоянии проводности: 0,19 Ом
• Корпус: TO220-3 (монтаж THT)
• Технология: MDmesh™ V
• Защита: версия ESD
• Комплектация: набор из 10 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 650 В и ток стока 11,3 А. Это позволяет использовать компонент в высоковольтных схемах, где требуется надежная коммутация значительных нагрузок без перегрева.

Эффективное рассеивание тепла

Мощность рассеивания составляет 130 Вт, что является высоким показателем для корпуса такого типа. Благодаря этому транзистор может работать в режимах с повышенным тепловыделением, если обеспечено надлежащее охлаждение радиатором.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводности равно 0,19 Ом. Такое значение минимизирует потери энергии на нагреве компонента во время работы, что повышает общий КПД устройства и снижает нагрузку на систему охлаждения.

Защита от статического электричества

Компонент имеет версию ESD, что указывает на повышенную устойчивость к электростатическим разрядам. Это упрощает процесс монтажа и эксплуатации, снижая риск повреждения транзистора при обслуживании или случайном контакте с наэлектризованными предметами.

Удобный монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO220-3 для монтажа на поверхность печатной платы (THT). Такой формат является стандартом для силовых компонентов, что позволяет легко интегрировать его в существующие схемы и заменять аналогичные детали.