Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60, 600 В, 0,4 А, SOT223, набор 20 шт.
3 000 ₴
- В наличии
- Код: TM114331
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60, 600 В, 0,4 А, SOT223, набор 20 шт.В наличии
3 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60 в корпусе SOT223. Транзистор N-MOSFET с напряжением сток-исток 600 В.
- Напряжение сток-исток 600 В
- Ток стока 0,4 А
- Рассеиваемая мощность 3,3 Вт
- Корпус SOT223, монтаж SMD
- Защита ESD и технология SuperMesh™
- Набор из 20 транзисторов
Высокое напряжение и ток
Транзисторы выдерживают напряжение сток-исток до 600 В и ток стока 0,4 А. Подходит для применений, требующих работы с высоким напряжением.
Надежность и защита
Версия ESD обеспечивает дополнительную защиту от электростатического разряда, что снижает риск повреждения компонентов при монтаже и эксплуатации. Используется технология SuperMesh™.
Удобный монтаж
Корпус SOT223 и тип монтажа SMD обеспечивают компактное размещение на печатных платах. Рассеиваемая мощность составляет 3,3 Вт.
Электрические параметры и монтаж
В комплекте 20 транзисторов. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а сопротивление в открытом состоянии — 8,5 Ом. Монтаж выполняется методом SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | SuperMesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 3 000 ₴