Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWT60H65DFB, 650 В, 60 А, TO3P (5 шт.)
2 210 ₴
- В наличии
- Код: TM114299
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWT60H65DFB, 650 В, 60 А, TO3P (5 шт.)В наличии
2 210 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGWT60H65DFB в корпусе TO3P для монтажа на плату. Комплект состоит из 5 элементов с номинальным напряжением 650 В и током коллектора 60 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 60 А (240 А в импульсе)
- Рассеиваемая мощность: 375 Вт
- Корпус: TO3P, монтаж THT
- Комплектация: 5 шт.
Мощность и ток
Номинальный ток коллектора составляет 60 А, а в импульсном режиме он может достигать 240 А. Максимальная рассеиваемая мощность элемента — 375 Вт.
Напряжение и заряд затвора
Допустимое напряжение затвор-эмиттер ограничено значением ±20 В. Заряд затвора составляет 306 нКл.
Корпус и комплектация
Транзистор выполнен в корпусе TO3P с выводами для монтажа на плату (THT). Устройство имеет интегрированный антипараллельный диод. В комплекте поставляется 5 элементов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 240 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO3P |
Информация для заказа
- Цена: 2 210 ₴