Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA75H65DFB2, 650В, 75А, TO247-3 (5 шт.)
2 220 ₴
- В наличии
- Код: TM114298
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA75H65DFB2, 650В, 75А, TO247-3 (5 шт.)В наличии
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 в корпусе TO247-3 для монтажа на плату. Комплект состоит из 5 элементов с номинальным напряжением 650 В и током коллектора 75 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 75 А (225 А в импульсе)
- Рассеиваемая мощность: 357 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Комплектация: 5 шт.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 75 А. В импульсном режиме ток может достигать 225 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 357 Вт, а напряжение на затворе ограничено ±30 В.
Корпус и монтаж
Элемент выполнен в корпусе TO247-3. Монтаж осуществляется выводами в отверстия печатной платы (THT). Общий заряд затвора равен 207 нКл.
Встроенный диод
В конструкцию транзистора интегрирован антипараллельный диод.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 357 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 225 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 220 ₴