Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW75M65DF2, 650 В, 75 А, TO247-3 (5 шт.)

Транзистор IGBT STGW75M65DF2 от STMicroelectronics — это мощный полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3, предназначенный для работы с высокими напряжениями и токами. Комплект состоит из 5 штук, что обеспечивает удобство для серийного производства или ремонта оборудования.

• Ток коллектора 75 А
• Напряжение коллектор-эмиттер 650 В
• Мощность рассеивания 468 Вт
• Корпус TO247-3, монтаж THT
• Встроенный антипараллельный диод
• Комплект: 5 шт.

Высокая мощность и ток

Транзистор рассчитан на постоянный ток коллектора 75 А и импульсный ток до 225 А. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях с высокими нагрузками. Мощность рассеивания составляет 468 Вт, что требует эффективного отвода тепла.

Надежность в высоковольтных схемах

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер равно 650 В, что делает транзистор пригодным для промышленных инверторов и источников питания.

Удобная интеграция и монтаж

Компонент имеет встроенный антипараллельный диод, что упрощает схемотехнику и уменьшает количество внешних элементов. Монтаж выполняется технологией THT (сквозь отверстия), а корпус TO247-3 обеспечивает надежное крепление к радиатору.

Управление и параметры затвора

Заряд затвора составляет 225 нКл, что определяет скорость переключения и требования к драйверу управления. Этот параметр важен для оптимизации потерь на переключение в высокочастотных схемах. Напряжение затвор-эмиттер ±20 В является стандартным для большинства контроллеров IGBT, что упрощает интеграцию транзистора в существующие системы управления без дополнительных адаптеров уровней.