Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP10M65DF2, 650 В, 10 А, TO220AB (20 шт.)
3 200 ₴
- В наличии
- Код: TM114290
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP10M65DF2, 650 В, 10 А, TO220AB (20 шт.)В наличии
3 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGP10M65DF2 в корпусе TO220AB имеет напряжение коллектор-эмиттер 650 В. Комплект из 20 штук обеспечивает необходимое количество компонентов для серийного производства или ремонта оборудования.
- Напряжение коллектор-эмиттер 650 В
- Номинальный ток коллектора 10 А
- Импульсный ток до 40 А
- Рассеиваемая мощность 115 Вт
- Корпус TO220AB с монтажом THT
- Интегрированный антипараллельный диод
- Комплект из 20 транзисторов
Высокое напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер 650 В и номинальным током коллектора 10 А. Импульсный ток может достигать 40 А.
Встроенный диод и монтаж
Компонент имеет интегрированный антипараллельный диод. Монтаж выполняется методом THT (сквозь отверстия). Корпус TO220AB. Рассеиваемая мощность до 115 Вт.
Удобный комплект для производства
Упаковка содержит 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 115 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 40 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 3 200 ₴