Транзистор IGBT STMicroelectronics STGF20H65DFB2, 650 В, 25 А, TO220FP (набор 20 шт.)

IGBT-транзистор STMicroelectronics STGF20H65DFB2 — это полупроводниковый прибор для мощных электронных схем. Комплект из 20 штук в корпусе TO220FP обеспечивает надежную коммутацию тока до 25 А при напряжении 650 В.

• Тип транзистора: IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Ток коллектора: 25 А (постоянный), 60 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 45 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Комплектация: набор из 20 транзисторов

Высокая мощность и надежность

Транзистор рассчитан на постоянный ток коллектора 25 А и импульсный до 60 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 45 Вт, а напряжение коллектор-эмиттер — 650 В. Это гарантирует стабильную работу устройств под высокой нагрузкой.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе TO220FP, который сочетает компактность с эффективным отводом тепла. Тип монтажа THT (выводной) упрощает установку на печатные платы и обеспечивает механическую устойчивость соединений.

Электрические характеристики

Заряд затвора составляет 56 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора. Допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Эти параметры важны для проектирования эффективных схем управления мощностью.