Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11NM60ND, 600 В, 10 А, TO220FP (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11NM60ND — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 10 А. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO220FP для монтажа на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 10 А (импульсный до 40 А)
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Рассеиваемая мощность: 25 Вт
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Прибор выдерживает напряжение между выводами стока и истока до 600 В. Номинальный ток стока составляет 10 А, а импульсный ток может достигать 40 А. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,45 Ом, что влияет на тепловые потери при работе. Максимальная рассеиваемая мощность ограничена 25 Вт.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа THT (through-hole technology) означает, что выводы проходят сквозь отверстия в печатной плате и припаиваются с другой стороны.

Комплектация

Комплект содержит 5 транзисторов STF11NM60ND.