Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5N52K3, 525В, 2,77А, DPAK (набор 20 шт.)

3 210 ₴

  • В наличии
  • Код: TM114273
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5N52K3, 525В, 2,77А, DPAK (набор 20 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5N52K3, 525В, 2,77А, DPAK (набор 20 шт.)В наличии
3 210 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5N52K3 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах с напряжением до 525 В. Комплект содержит 20 транзисторов.

  • Напряжение сток-исток: 525 В
  • Ток стока: 2,77 А
  • Мощность рассеивания: 70 Вт
  • Корпус: DPAK (монтаж SMD)
  • Защита ESD и технология SuperMesh™
  • Комплект: 20 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 525 В и ток стока 2,77 А.

Эффективный отвод тепла

Мощность рассеивания составляет 70 Вт. Корпус DPAK обеспечивает монтаж на поверхность (SMD).

Защита от статического электричества

Версия ESD. Версия ESD и технология SuperMesh™.

Полярность и тип канала

Транзистор является униполярным (unipolarny) с каналом обогащения (wzbogacany). Это определяет принцип его работы в схемах управления.

Напряжение на затворе

Допустимое напряжение между затвором и истоком составляет ±30 В.

Сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводности равно 1,5 Ом.

Характеристики
Основные
ПроизводительSTMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания70 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток30 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток525 В
Максимально допустимый ток стока2.77 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)1500 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
ВерсияESD
Количество в комплекте20 шт.
КорпусDPAK
ТехнологияSuperMesh™
Информация для заказа
  • Цена: 3 210 ₴