Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB13N60M2, 600 В, 7 А, D2PAK, 10 шт.
2 460 ₴
- В наличии
- Код: TM114267
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB13N60M2, 600 В, 7 А, D2PAK, 10 шт.В наличии
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 полевых транзисторов STMicroelectronics STB13N60M2 типа N-MOSFET в корпусе D2PAK. Рассчитаны на напряжение до 600 В и ток до 7 А.
- Тип: N-MOSFET, канал обогащенный
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 7 А
- Максимальная мощность рассеивания: 110 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технология: SuperMesh™, версия ESD
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические характеристики
Транзисторы имеют максимальную рассеиваемую мощность 110 Вт и выдерживают напряжение сток-исток 600 В. Максимально допустимый ток стока составляет 7 А.
Корпус и технология
Компоненты выполнены в корпусе D2PAK с монтажом для поверхностного монтажа (SMD). Канал транзистора — обогащенный, полярность — униполярная. Версия ESD. Изделия изготовлены по технологии SuperMesh™.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 460 ₴