Транзистор STMicroelectronics STB11N65M5, N-MOSFET, 650 В, 5.6 А, D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор STMicroelectronics STB11N65M5 — это полевой N-MOSFET с технологией MDmesh™ M5. Максимальное напряжение сток-исток составляет 650 В, максимальный ток стока — 5.6 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 5.6 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 480 mOm
• Корпус: D2PAK, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 650 В. Максимально допустимый ток стока равен 5.6 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 480 mOm. Максимальная мощность рассеивания — 85 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе D2PAK с поверхностным типом монтажа. Тип транзистора — полевой. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 25 В. Технология изготовления — MDmesh™ M5.

Дополнительные характеристики и комплектация

В комплекте поставляется 10 шт. транзисторов. Импульсный ток стока (Idm) составляет 36 А. Заряд затвора — 17 нКл. Канал типа «wzbogacany» (обогащенный), поляризация — униполярная.