Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB11N65M5, 650В, 5,6А, D2PAK — набор 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB11N65M5 — это полупроводниковый прибор с технологией MDmesh™ M5, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель обеспечивает высокую эффективность переключения и надежность в схемах с напряжением до 650 В.

• Напряжение сток-исток 650 В
• Постоянный ток стока 5,6 А
• Импульсный ток стока 36 А
• Сопротивление в открытом состоянии 0,48 Ом
• Рассеиваемая мощность 85 Вт
• Корпус D2PAK, монтаж SMD
• Технология MDmesh™ M5
• Набор из 10 штук

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 5,6 А. Это позволяет использовать компонент в высоковольтных применениях, где требуется стабильная работа под значительной нагрузкой. Импульсный ток стока может достигать 36 А, что обеспечивает запас прочности для кратковременных пиковых нагрузок.

Эффективность и тепловой режим

Технология MDmesh™ M5 снижает сопротивление в открытом состоянии до 0,48 Ом, что минимизирует потери мощности и нагрев компонента. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 85 Вт, что требует надлежащего отвода тепла от корпуса. Низкий заряд затвора 17 нКл упрощает управление и снижает потери на управление.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе D2PAK с технологией монтажа SMD, что обеспечивает компактность и автоматизацию производства. Полярность транзистора — униполярная, канал обогащенный, что является стандартным решением для многих силовых схем. Напряжение затвор-исток ±25 В определяет диапазон безопасного управления затвором.

Комплектация

Товар поставляется набором из 10 штук, что удобно для прототипирования или мелкосерийного производства.