Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J334R, SOT23F, -30В, -4А, комплект 80 шт (SSM3J334R,LF

1 930 ₴

  • В наличии
  • Код: TM114259
Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J334R, SOT23F, -30В, -4А, комплект 80 шт (SSM3J334R,LF
Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J334R, SOT23F, -30В, -4А, комплект 80 шт (SSM3J334R,LFВ наличии
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор P-MOSFET Toshiba SSM3J334R — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе SOT23F для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 80 единиц.

  • Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
  • Максимальное напряжение сток-исток: -30 В
  • Максимальный ток стока: -4 А
  • Рассеиваемая мощность: 1 Вт
  • Корпус: SOT23F, монтаж SMD
  • Количество в комплекте: 80 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток -30 В и максимальный ток стока -4 А. Рассеиваемая мощность составляет 1 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 136 мОм. Заряд затвора равен 5,9 нКл, что влияет на скорость переключения и энергопотребление схемы.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в компактном корпусе SOT23F, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD). Версия ESD указывает на наличие защиты от электростатического разряда.

Канал и полярность

Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Полярность P-MOSFET определяет полярность приложенного напряжения и тока в схеме.

Характеристики
Основные
ПроизводительToshiba
Максимальная мощность рассеивания1 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)136 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
ВерсияESD
Количество в комплекте80 шт.
КорпусSOT23F
Информация для заказа
  • Цена: 1 930 ₴